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Product laser

產(chǎn)品中心
晶圓激光隱切設(shè)備
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
該設(shè)備可通過精密控制及激光內(nèi)部改質(zhì)技術(shù)，使得晶圓切割后裂片擴(kuò)膜成單顆小芯片，以便實(shí)現(xiàn)后續(xù)的晶圓封測(cè)。
產(chǎn)品特點(diǎn)

兼容性好，可同時(shí)切割4~12寸及不同厚度的晶圓

支持藍(lán)寶石、硅、碳化硅、鉭酸鋰等襯底材質(zhì)

良好的定位精度及重復(fù)定位精度

切割質(zhì)量高，直線度好，無(wú)崩邊、裂痕

切割區(qū)域影響小，切割道≤20μm

應(yīng)用領(lǐng)域
Si、Sic等襯底材質(zhì)芯粒切割
技術(shù)指標(biāo)
設(shè)備型號(hào) DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
設(shè)備尺寸 2250mm（L） x 1750mm（W） x 2250mm（H）
適用晶圓尺寸 6寸及以下 8寸、12寸
適用晶圓厚度 60μm to 400μm
平臺(tái)精度 重復(fù)定位精度≤ ±1μm；定位精度<±3μm；
直線度 ≤5μm
切割路徑寬度 ≤20μm
TTV ≤10μm ≤15μm
應(yīng)用案例